transistors à effet de champ (FET) se trouvent dans les deux circuits analogiques et numériques. Le type le plus courant de FET est le transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET), qui possède une électrode de grille isolée. Cette fonctionnalité empêche le courant statique de circuler à travers le dispositif, ce qui réduit au minimum la consommation d'énergie. Dans certaines applications, les MOSFET ne dissipent une puissance significative quand ils sont «commutation», ou la transition de l'état "marche" à l'état "off". Dans d'autres applications, telles que des circuits à haute puissance, la résistance à l'état d'un transistor MOS peut dissiper une grande quantité de puissance statique.
Instructions
Applications électriques
1 Déterminer le courant qui passe à travers le canal du transistor FET. Cela est généralement appelé le «courant de drain". Si vous avez un schéma précis pour le circuit, vous pouvez utiliser l'analyse des circuits pour trouver le courant de drain. Dans le cas contraire, la mesure du courant de drain en plaçant les conducteurs d'un ampèremètre en série avec le drain.
2 Regardez dans la fiche technique du FET à trouver sa sur-résistance. Dans les applications à haute puissance, la grille du FET est entraîné de sorte que le dispositif est complètement allumé. Ceci minimise la résistance du canal, ce qui rend l'acte FET plus comme un interrupteur mécanique. Toutefois, la résistance à l'état non nul. La fiche de données fournira des valeurs, et peut-être même un graphique, pour indiquer la résistance à l'état du FET dans vos conditions de circuit particulier.
3 Le carré du courant de drain, et multiplier cette valeur par la résistance sur: Puissance = (courant de drain) ^ 2 x (sur-résistance).
Applications numériques
4 Déterminez si votre FET est principalement utilisé dans un dispositif CMOS. Ceci est généralement le cas lorsque le FET fait partie d'un circuit numérique.
5 Notez la tension d'alimentation de votre circuit numérique et la fréquence à laquelle le circuit fonctionne normalement.
6 Reportez-vous à la fiche de données de votre FET et notez la capacité de grille. Cette capacité est la capacité de charge, car la sortie d'un transistor FET entraîne généralement la grille d'un autre FET.
7 Calculer la consommation d'énergie dynamique du FET en utilisant la formule suivante: Puissance = (capacité de charge) x (tension d'alimentation) ^ 2 x (fréquence). A noter que cette formule donne le pouvoir de tout un "inverseur", qui est une combinaison de deux FET, car presque tous les FET dans un circuit numérique fait partie d'un onduleur ou d'une combinaison similaire de transistors FET.