IGBT ou des transistors bipolaires à grille isolée sont des semi-conducteurs hybrides qui combinent les aspects souhaitables du transistor métal-oxyde à effet de champ à semi-conducteur, ou MOSFET, et les transistors bipolaires à jonction, ou BJT. IGBT combinent la vitesse élevée de commutation de MOSFET avec la tolérance de haute tension de BJT. IGBT paraissent structurellement similaire à MOSFETs, mais avec un bon fonctionnement de la couche de substrat ajouté comme un drain. La couche de substrat est un matériau de type P pour un transistor IGBT à canal n, ou vice versa. Ceci convertit efficacement le transistor dans un dispositif bipolaire, comme un BJT.
IGBT a émergé dans les années 1980 et ont fait l'objet d'une série de développements depuis lors, qui ont augmentés leurs caractéristiques souhaitables. Leur nature hybride rend idéal pour la gestion des situations de haute tension où la commutation rapide est nécessaire, de sorte qu'ils sont souvent trouvés dans les moteurs électriques de voitures, des réfrigérateurs de grande puissance, et de nombreuses autres applications de premier plan.
Canal N ou P-Channel
N-Canal IGBT sont faits de matériaux qui fournit une prédominance des électrons supplémentaires provoquant une charge négative. À canal P IGBT sont dopées avec un matériau accepteur, ce qui tire lâchement les électrons du semi-conducteur, en créant une prédominance des trous, ce qui conduit effectivement à une charge positive.
Collecteur-émetteur disruptif Tension
Collecteur-émetteur disruptif La tension est la tension la plus élevée tolérée entre le collecteur et les bornes d'émetteur avant panne se produit. Le symbole en est VCES, avec "CES" en cours d'écriture comme un post-scriptum.
Porte-Tension de l'émetteur
tension Gate-Emitter est l'estimation de la tension continue plus élevée tolérable entre la grille et émetteur bornes avant courant commence à un court-circuit, après quoi l'oxyde de grille va commencer tomber en panne. Le symbole en est GVE, avec "GE" comme postscript.
Punch Through ou non-Punch Grâce
Grâce à poinçonner, ou IGBT PT ont une vitesse de commutation élevée, avec une tension de claquage collecteur-émetteur inférieure. Non-Punch Through, ou, IGBT NPT ont des vitesses de commutation plus lentes mais peut supporter une tension supérieure collecteur-émetteur avant de tomber en panne.
Collecteur-émetteur (le) Tension
(E) la tension du collecteur-émetteur, aussi appelée la tension de saturation, est la tension entre le collecteur et l'émetteur au cours de laquelle la jonction est en position "ON" ou en mode de faible résistance. Collecteur-émetteur (sur) la tension est la température relative, et ainsi est parfois spécifiée à la fois la température ambiante et la température "à chaud". Le symbole en est VCE, avec "CE" écrit comme postscript.
Porte-Emitter Courant de fuite
Grille-Emetteur du courant de fuite est la quantité de "fuite" courant qui circule à travers la borne de grille d'un IGBT. Grille-Emetteur courant de fuite par rapport à une tension grille-émetteur spécifiée.
Vitesse de commutation
Vitesse de commutation est la vitesse maximale à laquelle un IGBT passe sans dépasser aucune des tolérances relatives de conception.
Courant de collecteur continu
Courant de collecteur continu est la quantité de courant continu nécessaire pour élever la température de la jonction IGBT à sa température maximale par rapport à la conception plage de température de 25 degrés C à 150 degrés C. Le symbole de cette est IC, avec le C écrit en tant que postscript.
Température de jonction
La température de jonction est la plage globale de la température tolérable de la jonction IGBT pendant son fonctionnement.