MOSFET et BJT sont tous les deux types de transistors. Un transistor est un composant électronique à trois bornes qui peuvent être utilisés comme un commutateur commandé électroniquement ou comme un amplificateur de tension. MOSFET signifie Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. BJT signifie Bipolar Junction Transistor. Les deux MOSFET et BJT sont largement utilisés dans l'électronique et l'informatique.
Impédance d'entrée
MOSFET ont une impédance d'entrée supérieure à BJT. L'impédance d'entrée est une mesure de la résistance de la borne d'entrée du transistor de courant électrique. Lors de la conception des amplificateurs de tension, il est souhaitable que la résistance d'entrée soit aussi élevée que possible. Par conséquent MOSFETs sont plus largement utilisés dans l'étape d'amplificateurs de tension d'entrée.
Taille
MOSFET peuvent être beaucoup plus petite que BJT. Beaucoup plus MOSFETs peuvent être placés dans une zone plus petite que BJT. Pour cette raison, les MOSFET forment la majeure partie des transistors utilisés dans les puces et les processeurs informatiques. MOSFET sont également plus faciles à fabriquer que BJT, car ils prennent moins d'étapes à faire.
Bruit
MOSFET sont moins bruyants que BJT. Dans un contexte de bruit électronique se rapporte à une interférence aléatoire dans un signal. Quand un transistor est utilisé pour amplifier un signal aux processus internes du transistor va introduire une partie de cette interférence aléatoire. BJT introduire généralement plus de bruit dans le signal que MOSFET. Cela signifie que MOSFETs sont plus appropriés pour des applications de traitement de signaux ou pour les amplificateurs de tension.
Thermal Runaway
BJT souffrent d'une propriété connue sous le nom "d'emballement thermique." emballement thermique se produit parce que la conductivité d'un BJT augmente avec la température. Étant donné que les transistors ont tendance à se réchauffer en proportion de courant circulant à travers eux, ce qui signifie que la conductivité et la température de BJT peut augmenter de façon exponentielle. Cela peut endommager le BJT et fait des circuits de conception pour BJT plus difficiles. MOSFET ne souffrent pas de l'emballement thermique.