IGBT et MOSFET sont les deux types de transistors. Un transistor est un dispositif électronique avec trois contacts utilisés en tant que commutateurs à commande électronique ou amplificateurs de tension. IGBT signifie Insulated Gate Bipolar Transistor. MOSFET signifie Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor.
Les deux types de transistor
Il existe deux types de base de transistor à semi-conducteurs: MOSFET et BJT. BJT signifie Bipolar Junction Transistor. MOSFET et BJT ont légèrement différentes propriétés électriques. Une différence cruciale est que les MOSFET ont une impédance d'entrée supérieure à BJT. L'impédance d'entrée est la résistance au passage de courant dans le transistor. une résistance d'entrée élevée est une caractéristique souhaitable dans les transistors utilisés pour l'amplification. Cependant BJT sont capables de supporter des courants beaucoup plus élevés que FET de taille comparable. Cela signifie que lorsque la conception de l'électronique pour les applications à courant élevé il y a un compromis entre l'impédance d'entrée, le courant maximal et la taille des transistors utilisés. Le IGBT a été conçu pour combiner les meilleurs attributs de MOSFET et BJT.
Comment fonctionne la technologie à semi-conducteurs
Les semi-conducteurs sont des matériaux qui ont un niveau de conductivité électrique entre celui d'un métal et d'un isolant. Les semi-conducteurs sont dopés avec des produits chimiques de manière qu'elles contiennent soit un excès de porteurs de charges négatives ou des porteurs de charge positive. Ceux-ci résultent en N ou de type semi-conducteurs de type P, respectivement. Lorsque des régions de type P et de type N sont à côté de l'autre, les porteurs de charges positives et négatives sont attirées les unes aux autres. Ils combinent et forment une couche appelée la «région d'appauvrissement", qui ne contient pas de porteurs de charge et est entièrement non-conductrice. Le fonctionnement des deux transistors MOS et BJT consiste à contrôler la taille de cette zone de déplétion non conductrice et donc la conductivité du transistor.
Qu'est-ce que IGBT et MOSFET ont en commun
Les deux IGBT et MOSFET utilisent des matériaux semi-conducteurs. MOSFETs sont constitués soit de deux régions de type P séparées par une région de type N ou deux régions de type N séparées par une région de type P. Deux des contacts du transistor MOS sont fixés à chacun des type P, deux (ou de type N) régions. Un troisième contact est fixé à l'intervention de type N (type P) soit région, mais séparée de lui par une couche isolante. La tension appliquée par ce troisième effets de contact entre la conductivité du type P, deux (ou régions de type N). Ceci est la structure interne de base des deux MOSFET et IGBT.
Différences structurelles
La différence structurelle essentielle entre un IGBT et un MOSFET est la couche supplémentaire de type P semiconducteur sous l'arrangement standard. Ceci a pour effet de donner au transistor IGBT les caractéristiques d'un transistor MOS, en combinaison avec une paire de BJT. Ce qui fait IGBT si utile dans les applications de puissance.