Alors que la plupart des diodes sont réalisés en silicium, il existe des cas dans lesquels une diode en germanium peut être préférée. Par exemple, les diodes germanium nécessitent une tension de fonctionnement de l'avant plus petite que les diodes de silicium nécessitent. diodes Germanium sont également capables de supporter des températures de fonctionnement plus élevées que les diodes de silicium similaires peuvent gérer. Une diode de germanium spécifique, le 1N914 est utilisé dans des circuits électroniques à haute vitesse. Ces haute tension, des diodes à courant faible sont souvent utilisés dans des circuits redresseurs.
Tension directe
L'une des principales différences entre un redresseur de germanium et une diode de redressement de silicium est la tension nécessaire pour permettre à la diode pour conduire le courant électrique. des diodes de silicium typiques, comme une diode 1N4001, ont besoin d'environ 0,7 volts aux bornes de la diode pour permettre au courant électrique de commencer circulant entre l'anode et la cathode. Le germanium nécessite la construction 1N914 0,62 volts pour permettre au courant électrique de circuler à travers la diode.
tension inverse
Idéalement, lorsqu'une diode a une tension plus importante à la cathode qu'à l'anode, la diode agit comme un clapet anti-retour unidirectionnel, interdisant le courant électrique de circuler à travers la diode. En pratique, cependant, une diode permet à un courant très faible (moins d'un milliampère) de circuler à travers la diode à cette condition. Si le différentiel de tension devient assez grande, la diode commence à se décomposer, et le courant circule à travers la diode jusqu'à ce que la diode est endommagée ou détruite.
La tension à laquelle la diode commence à se décomposer est appelée la valeur "de tension inverse". des diodes au germanium, comme le 1N914, sont robustes par rapport aux diodes de silicium. Bien qu'une diode 1N4001 silicium construction va commencer à se décomposer à 50 volts, la valeur de tension inverse d'un germanium-construction 1N914 est de 75 volts.
Limitations de température de fonctionnement
Une diode 1N914 peut être utilisé dans des environnements de température allant de -65 ° C à 200 ° C Ceci est une plage de température supérieure à une diode au silicium 1N4001 construction peut supporter, -55 C à 175 ° C